Про нас
Кафедри
Дистанційне навчання
Вступнику
Конференції
Наші партнери
Довідка
Підрозділи
Посилання
Програми
Флюнт Орест Євгенович
Посада: 
доцент
Факультет: 
електроніки та комп'ютерних технологій
Кафедра(підрозділ):
радіоелектронних і комп'ютерних систем
Вчена ступінь: 
кандидат фізико-математичних наук
Робочий телефон: 
2-394-578

Перелік курсів:

1. Аналогова і цифрова обробка інформації, 5-й курс, Прикладна фізика, спеціалісти

2. Інженерна комп'ютерна графіка, 2-й курс, Мікро- та наноелектроніка

3. Актуальні питання автоматизації фізичного експерименту, 5-й курс, Прикладна фізика, магістри

4. Низькорівневе програмування, 5-й курс, Комп'ютерні науки, магістри

5. Спеціалізовані комп'ютерні системи ,  5-й курс, Комп'ютерні науки, спеціалісти

Email: 

flunt@electronics.lnu.edu.ua

Наукові інтереси:

Низькочастотна діелектрична спектроскопія напівпровідників,

універсальний степеневий закон релаксації,

модульована за інтенсивністю світлового потоку фотопровідність напівпровідників,

автоматизація фізичного експерименту,

чисельні обчислення з довільно-заданою точністю

Вибрані наукові публікації:

1. Флюнт О. Розрахунок перехідної характеристики низькоомних шаруватих кристалів GaSe / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2009. – Вип. 44. – С. 226–233.

2. Флюнт О. Застосування моделі дискретного розподілу часів релаксації для опису діелектричної дисперсії у високоомних кристалах GaSe / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 60–68.

3. Флюнт О. Перехідна характеристика високоомних шаруватих кристалів GaSe, зумовлена струмами поляризації / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 69–75.

4. Стебленко Л. П. Вплив слабкого постійного магнітного поля на фотопровідність і її релаксацію в кристалах кремнію / Л. П. Стебленко, О. В. Коплак, А. Н. Курилюк, О. Є. Флюнт // Вісник Київського ун-ту. Сер. фіз.-мат. наук. – 2010. – Вип. 4. – C. 291–295.

5. Стахіра Й. М. Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт, Я. М. Фіяла // Укр. фіз. журн. – 2011. – Т. 56, № 3. – С. 267–271.

6. Флюнт О. Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe в рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – Вип. 1. – С. 142–148.

7. Relationships between the efficiency of cyclohexane oxidation and the electrochemical parameters of the reaction solution / A. Pokutsa, O. Fliunt, Y. Кubaj et al // Journal of Molecular Catalysis A: Chemical. – 2011. – V. 347, N 1–2. – P. 15–21.

8. Флюнт О. Поведінка низькочастотної дисперсії у кристалах GaSe зі зміною температури / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2012. – Вип. 2. – С. 71–76.

9. Флюнт О. Вплив розрядності чисел на правильність та точність чисельного розрахунку перехідних діелектричних характеристик / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2013. – Вип. 48. – С. 270–278.

10. Флюнт О. Є. Застосування бібліотеки обчислень довільної точності GNU MPFR для реалізації алгоритму перетворення Фур’є методом апроксимації спектрів кубічними сплайнами / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2014). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 24–27 квітня 2014 р. – С. 32–34.

11. Флюнт О. Оцінка меж точності чисельного обчислення інтегрального перетворення Фур’є степеневих спектрів за допомогою інтерполяції кубічними сплайнами / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2016. – Вип. 6. – С. 83–88.

12. Флюнт О. Коливнi процеси в мiжзонних електронних переходах у шаруватих кристалах InSe / О. Флюнт // Вісник Львів. ун-ту. Серія фізична. – 2016. – Вип. 51. – С. 98–105.