Про нас
Кафедри
Електронне навчання
Вступнику
Конференції
Наші партнери
Довідка
Підрозділи
Посилання
Програми
Галій Павло Васильович
Посада: 
професор
Факультет: 
електроніки та комп'ютерних технологій
Кафедра(підрозділ):
сенсорної та напівпровідникової електроніки
Вчена ступінь: 
доктор фізико-математичних наук
Вчене звання: 
професор
Робочий телефон: 
(032) 239-46-78

Email: 

galiy@electronics.lnu.edu.ua

Вибрані наукові публікації:

1. NixInSe (0001) Metal–Semiconductor Hetero Nano System study / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I.R. Yarovets' and O.R. Dveriy // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. – 2017. – Vol. 39, № 7. – P. 995–1004.

2. Особливості наносистем на основі халькогенідних напів­провідників з природними наноструктурованими матрицями / П.В. Галій, І.Р. Яровець, О.Р. Дверій // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія Хімія. – 2017. – Випуск. XXI. – С. 4―15.

3. Tunable Two-Dimensional Electron Gas at the Surface of Thermoelectric Material In4Se3 / Fukutani K., Sato T., Galiy P.V., Sugawara K. and Takahashi T. // Physical Review B. - 2016- Vol. 93, N 20- P. 205156-1-205156-6.

4. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколю­вання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем / П.В. Галій, П. Мазур, А. Ці­жевський, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, Франк Сімон, Я.М. Бужук, В.Л. Фоменко // Журнал нано- та електронної фізики. ― 2016. ― т. 8, № 1. ― С. 01012-1―01012-11.

5. Microscopic basis for engineering of InSe (Ni) heterostructures / Galiy P. V., Nenchuk T. M., Mazur P., Poplavskyy O. P., Yarovets’ I. R., Dveriy O. R., Buzhuk Ya.M. // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. – Ivano-Frankivsk : Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, 2017. – Р. 215.

6. Scanning tunneling spectroscopy study of In/In4Se3 (100) nanosystem / P. V. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T. M. Nenchuk, I. R. Yarovets’ // International re­search and practice conference “Na­no­technology and nanomaterials” (Nano-2017). – Chernivtsi, 2017. – Р. 712.

7. Яровець І.Р. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь ско­лювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / Галій П.В., Ненчук Т.М., Яровець І.Р. // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - т. 6, № 2. – с. 02029-1-02029-7.