Про нас
Кафедри
Дистанційне навчання
Вступнику
Конференції
Наші партнери
Довідка
Підрозділи
Посилання
Програми
Лис Роман Мирославович
Посада: 
доцент
Факультет: 
електроніки та комп'ютерних технологій
Кафедра(підрозділ):
сенсорної та напівпровідникової електроніки
Вчена ступінь: 
кандидат фізико-математичних наук
Робочий телефон: 
(032) 239-43-71

Перелік курсів:

1. "Мікроелектронні сенсорні пристрої".

2. "Фізичні основи термометрії".

3. "Вступ до спеціальності".

4. "Сучасна термометрія".

 

Навчально-методичні  видання:

1. Павлик Б.В., Лис Р.М., Матвіїшин І.М., Шпак Л.М., Лучечко А.П., Слободзян Д.П. // Методичні вказівки до лабораторного практикуму з курсу "Твердртільна електроніка". -  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2016. - 36 с.

2. Павлик Б.В., Лис Р.М. // Методичні вказівки до лабораторного практикуму з курсу "Фізичні основи термометрії". -  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2012. - 46 с.

 

Email: 

lys_r@ukr.net

Наукові інтереси:

Вплив Х-випромінювання та механічних навантажень на властивості кремнієвих діодних структур.

 

Вибрані наукові публікації:

1. Особенности одноосной упругой деформации кристаллов p-Si, облученных рентгеновскими лучами / Б.В. Павлык, Р.М. Лыс, Р.И. Дидык, И.А. Шикоряк // ФТП. – 2015. – Т. 49, Вып. 5. – С. 638–643.

2. Дослідження Х-стимульованої еволюції дефектів у кристалах p-Si методом ємнісно-модуляційної спектроскопії / Б.В. Павлик, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик // Журнал фізичних досліджень. – 2014. –Т. 18, № 4. – С. 1(4702)–7(4702).

3. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // ФХТТ. – 2014. – Т.15, № 2. – С. 297–303.

4. Особливості електрофізичних характеристик пружнодеформованих монокристалів p-Si / Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, Й. Шикоряк, М. Кушлик, І. Чегіль // Електроніка та інформаційні технології. – 2013. – Вип. 3. – С. 54–61.

5. Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных струткур Bi-Si-Al / Б.В. Павлык, Д.П. Слободзян, А.С. Грыпа, Р.М. Лыс, М.О. Кушлык, И.А. Шикоряк, Р.И. Дидык // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, Вып. 8. – С. 1017–1021.

6. Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, І.О. Хвищун, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик // Укр. Фіз.. журнал. – 2011. – Т. 56, № 1. – С. 64–68.

7. Перебудова дефектів в поверхнево-бар’єрних структурах Bi-Si-Al стимульована дією радіації / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2010. – Т. 1, № 7. – С. 37–41.

8. Особливості електрофізичних характеристик поверхнево-бар’єрних структур на базі кристалів p-Si / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Р.М. Лис, Д.П. Слободзян, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, № 4. – С. 935–938.

9. Еволюція заряду в діелектрику на межі поділу Bi-Si-Al стимульована дією радіації / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик // Теоретична електротехніка. – 2009. – Вип. 60. – С. 156–162.

 

ПАТЕНТИ:

1. Патент на корисну модель, 86829 Україна, МПК G01N3/08 (2006.01), H01L21/322 (2006.01). Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник і власник ЛНУ ім. І. Франка. – № u201309259; заявл. 23.07.2013; опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1/2014.

2. Патент на корисну модель, 84570 Україна, МПК G01R 1/00. Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник та власник Львівський національний університет імені Івана Франка. – № u201305090; заявл. 19.04.2013; опубл.25.10.2013, Бюл. № 20/2013.

 

Додаткова інформація:

Освіта: вища

Назва навчального закладу: Львівський національний університет імені Івана Франка

Факультет: електроніки

Рік закінчення: 2006