Про нас
Кафедри
Дистанційне навчання
Вступнику
Конференції
Наші партнери
Довідка
Підрозділи
Посилання
Програми
Слободзян Дмитро Петрович
Посада: 
асистент
Факультет: 
електроніки та комп'ютерних технологій
Кафедра(підрозділ):
сенсорної та напівпровідникової електроніки
Вчена ступінь: 
кандидат фізико-математичних наук
Робочий телефон: 
239-43-71

Перелік курсів:

Персональні комп'ютери

Прилади і методи відображення біомедичних сигналів та зображень

Навчально-методичні видання:

1.     Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. - Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2013. - 38 с.

2.    Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» (Ч.2) / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. - Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2014. - 47 с.

3.    Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» (Ч.3) / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. - Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2015. - 58 с.

4.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Твердотільна електроніка» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, А.П. Лучечко, Д.П. Слободзян. - Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. - 36 с.

Email: 

slobodzyan_d@ukr.net

Наукові інтереси:

Процеси дефектоутворення в кристалах кремнію та структурах на їхній основі

Вибрані наукові публікації:

1. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики / Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №4. – 04051-1 - 04051-5

 

2. Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №3. – 03043-1-03041-5

 

3. Дослідження Х-стимульованої еволюції дефектів у кристалах p-Si методом ємнісно-модуляційної спектроскопії / Б.В. Павлик, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Журнал Фізичних Досліджен. – 2014. – Т.18, №4. – С. 4601-1-4601-7

 

4. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик, Б.Я. Кулик // Український Фізичний Журнал. – 2013. – Т.58, №8. – С. 743-748

 

5. Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, A.S. Hrypa, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2012. – Vol.46, №8. – P. 993-997

 

6. The Effect of a Magnetic Field on Electrical Properties of Surface-Barrier Bi-Si-Al Structures / B.V. Pavlyk, A.S. Hrypa, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2011. – Vol.45, No.5. – P. 599 – 602